长江存储申请半导体器件及其制备方法等相关专利，解决低电压晶体管背栅漏电的问题

百科大全 2025年08月04日 20:43 2 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备”的专利，公开号CN120417478A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决低电压晶体管背栅漏电的问题。所述半导体器件包括衬底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一源极、第一漏极、第一栅极绝缘层、第一栅极层和第一绝缘层。第一源极和第一漏极设于衬底内，第一源极和第一漏极之间具有第一间隔区域。第一栅极绝缘层和第一栅极层层叠设于第一间隔区域上。第一绝缘层位于衬底内。第二晶体管包括第二源极、第二漏极、第二栅极绝缘层和第二栅极层。第二源极和第二漏极设于衬底内，第二源极和第二漏极之间具有第二间隔区域。上述半导体器件应用于集成电路中。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1395次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

本文源自金融界