无锡旷通半导体申请超结半导体器件制备方法专利，当达到相同性能的情况下，半导体器件面积缩小，降低了成本

抖音推荐 2025年08月04日 18:11 2 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“超结半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN120417453A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及一种超结半导体器件的制备方法，其包括选取第一导电类型衬底，并在第一导电类型衬底正面生长一层第一导电类型第一外延层；在第一导电类型第一外延层的部分区域中注入第二导电类型离子；连续外延生长多层第一导电类型第一外延层并且在部分区域内均注入第二导电类型离子；高温推进扩散形成第二导电类型第一柱；在多层第一导电类型第一外延层的正面生长第一导电类型第二外延层；在第一导电类型第二外延层对应第二导电类型第一柱的区域刻蚀第一沟槽；在第一沟槽内填充形成第二导电类型第二柱。

天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自金融界