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隔热半导体粘合技术公司申请作为焊盘的TSV专利,减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性

游戏天地 2025年08月04日 18:03 1 admin

金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,隔热半导体粘合技术公司申请一项名为“作为焊盘的TSV”的专利,公开号CN120413551A,申请日期为2019年06月。

隔热半导体粘合技术公司申请作为焊盘的TSV专利,减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性

专利摘要显示,本公开提供了一种作为焊盘的TSV。包括过程步骤的代表性技术和器件可以被采用,来减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性。例如,穿硅过孔(TSV)可以设置穿过微电子衬底中的至少一个微电子衬底。TSV在衬底的接合界面处被暴露,并且用作针对直接接合的接触表面。

本文源自金融界

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