中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的性能

抖音推荐 2025年08月04日 17:59 1 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120413574A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底中形成有互连金属层，基底露出互连金属层顶面，互连金属层包括用于互连的互连区域；第一介质层，覆盖基底；第一开口，贯穿互连区域的第一介质层，第一开口露出互连金属层；第二介质层，填充第一开口且覆盖第一介质层；第二开口，位于第一开口中，第二开口贯穿第一开口内的第二介质层，第二开口露出互连金属层；互连通孔结构，位于第二开口中，并与互连金属层电连接。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

本文源自金融界