西安龙飞电气申请基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源专利，利用功率管上方纵向空间，不占用PCB板面积

百科大全 2025年08月04日 17:58 1 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源”的专利，公开号CN120415080A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源，属于开关电源技术领域，包括：双相电源主控芯片产生各相电源的控制信号；第一、第二相电源主功率半桥电路，根据双面散热MOSFET进行设计，并根据控制信号产生各相电源的输出电压；双相电源主控芯片布设于PCB板背面的中心，第一、第二相电源主功率半桥电路对称布设于PCB板两端；第一、第二相电源主功率半桥电路中构成上管电路的双面散热MOSFET布设于PCB板正面、构成下管电路的双面散热MOSFET布设于PCB板背面；第一、第二相电源主功率半桥电路中主功率电感布设于上管电路的双面散热MOSFET的上方，利用功率管上方纵向空间，不占用PCB板面积。

天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目40次，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自金融界