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2025-07-28 1
铠侠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存出样，读写性能分别提升12%和61%
游戏天地
2025年07月28日 10:25 1
admin
铠侠（Kioxia）宣布，第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存的样品已开始出货，计划在2025财年量产。新产品旨在支持中低级存储容量中需要高性能和卓越能效的应用，同时铠侠也打算集成到企业级SSD中，特别是以最大限度提高人工智能（AI）系统中GPU效率的SSD。
铠侠继续追求双轴战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，提供最佳的投资效率。这两条线路包括：
第九代BiCS FLASH产品 - 通过CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术降低生产成本，以实现高性能，将现有存储单元技术与最新CMOS技术相结合。
第十代BiCS FLASH产品 - 增加了存储层的数量，以满足未来对更大容量、高性能解决方案的预期需求。
第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存与铠侠的相同512Gb容量的BiCS FLASH产品相比，有明显的性能改进，最高连续读取和连续写入速度分别提高了12%和61%，读写操作效率分别提高了27%和36%，Toggle DDR6.0接口实现了3.6Gb/s的高速NAND接口性能，另外通过平面微缩技术将存储密度提升了8%。
此外，铠侠还证实了512Gb TLC在演示环境下NAND接口速率可达4.8Gb/s。
铠侠表示，将致力于加强其全球合作伙伴关系并追求进一步的创新，以继续提供满足客户多样化需求的最佳解决方案。
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