中芯国际申请存储器结构及其形成方法专利，减小了由于沟道长度缩短带来的短沟道效应

热门资讯 2025年07月27日 17:27 1 admin

金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN120379259A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于衬底上的沟道结构，所述沟道结构包括位线区以及源线区，所述沟道结构的材料包括过渡金属硫化物；位于所述源线区上的擦除栅、位于所述源线区上的浮栅、位于所述浮栅上的控制栅结构、位于所述源线区上的字线栅，所述浮栅位于所述擦除栅和所述字线栅之间，所述浮栅的材料包括石墨烯材料；位于所述位线区上的位线。采用过渡金属硫化物作为沟道材料，以及采用石墨烯材料作为浮栅，减小了由于沟道长度缩短带来的短沟道效应、以及沟道和浮栅之间的漏电问题，提高了存储器结构的性能以及降低了存储面积。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

本文源自金融界