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纵慧芯光申请一种半导体激光器及其制备方法专利,在反射层反射率不受影响的情况下实现稳定单模激射

抖音推荐 2025年07月25日 10:21 1 admin

金融界2025年7月25日消息,国家知识产权局信息显示,常州纵慧芯光半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体激光器及其制备方法”的专利,公开号CN120377062A,申请日期为2025年04月。

纵慧芯光申请一种半导体激光器及其制备方法专利,在反射层反射率不受影响的情况下实现稳定单模激射

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法,半导体激光器包括:衬底以及位于衬底一侧依次层叠的第一DBR层、有源层和第二DBR层;第一DBR层和第二DBR层包括DBR结构,DBR结构包括多个交替层叠设置的第一材料层和第二材料层;第一DBR层和/或第二DBR层还包括至少一层采样结构,采样结构位于DBR结构一侧或采样结构位于DBR结构相邻两个周期结构之间;其中,采样结构的厚度为半导体激光器目标波长的一半的整数倍。

天眼查资料显示,常州纵慧芯光半导体科技有限公司,成立于2015年,位于常州市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2902.499097万人民币。通过天眼查大数据分析,常州纵慧芯光半导体科技有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目10次,财产线索方面有商标信息32条,专利信息221条,此外企业还拥有行政许可30个。

本文源自金融界

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