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2025-07-27 0
30亿一台！全球首台顶级光刻机出货：中国厂商可能买不到
抖音快讯
2025年07月25日 06:15 1
admin
荷兰光刻机巨头ASML近日宣布，全球首台第二代High-NA EUV光刻机 EXE:5200B已经完成出货，首台买家正是美国芯片巨头英特尔。
这台重达150吨的精密设备，不仅代表着当今世界最顶尖的半导体制造技术，更在全球芯片产业链中投下了一颗"震撼弹"。
为什么这样的尖端设备，中国厂商花再多钱也买不到？背后究竟隐藏着怎样的产业博弈与技术限制？
史上最贵光刻机诞生，技术突破令人震撼
ASML的EXE:5200B光刻机采用0.55数值孔径设计，对比前代0.33数值孔径的EUV设备，分辨率从13纳米提升至8纳米。
理论上能够实现1.7倍的尺寸缩小和2.9倍的晶体管密度提升。
这台设备配备了与蔡司联合研发的优化投影光学元件，成像对比度提升40%，并支持高生产力双掩模曝光的晶圆存储器。
尽管生产效率为每小时≥175片晶圆，略低于前代EXE:5000 的185片/小时，但通过光源技术和工艺优化依旧实现了综合性能的显著提升。
技术进步的背后，是令人咋舌的成本投入。
单台EXE:5200B的售价超过3.4亿美元，折合人民币约30亿元，是普通EUV光刻机价格的两倍。
英特尔率先布局，2027 年 14A 节点率先应用
作为ASML的长期合作伙伴，英特尔早在2022年就率先下单订购了首台 EXE:5200系统。
据英特尔2025年技术发布会上公布的路线图，这台High-NA EUV设备将在 2027年开始风险生产，将用于14A制程节点，2028年进入大规模量产阶段。
作为曾经的芯片制造霸主，英特尔近年来在先进制程方面落后于台积电，其代工业务每季度亏损数十亿美元。
或许是公司希望通过抢先部署High-NA EUV技术，在2027年实现代工业务收支平衡，重新夺回技术领先地位。
英特尔已在俄勒冈州研发晶圆厂部署了第二套High-NA EUV光刻系统，并掌握了该技术在18A、14A节点的关键数据，为后续大规模应用奠定了基础。
这种技术储备让英特尔在与台积电、三星的竞争中占据了先发优势。
其14A节点将采用第二代背面供电网络和环绕栅极技术，预计每瓦性能提升 15-20%，芯片密度提升至1.3倍。
但英特尔的领先能保持多久？竞争对手们又有什么应对策略？
台积电三星紧追不舍，全球芯片格局或将重塑
面对英特尔的抢先部署，台积电和三星也在积极布局High-NA EUV技术。
据报道，台积电可能会延后采用High-NA EUV，继续在A14工艺上使用0.33-NA EUV技术，该工艺预计2028年进入量产。
三星则采取了更为积极的策略，斥资5000亿韩元在华城园区引入首台ASML制造的High-NA EUV设备EXE:5000，可能是希望在2nm市场上实现对台积电的追赶。
作为全球第二大晶圆代工厂，三星在2023年第四季度的市场份额仅为8.1%，远低于台积电的67%，因此急需通过新技术实现突破。
随着AI和高性能计算需求的爆发，对先进制程芯片的需求急剧增长，各大厂商都在争夺ASML有限的产能。
地缘政治阴霾下，中国厂商被彻底排除
中国是ASML的重要市场之一。
2024年前三季度对华销售额达到70亿欧元，且ASML在2025年表示将继续服务中国市场，计划在北京建设维修中心并推进零部件本土化采购，以缓解出口管制对客户设备维护的影响。
但在美国政府的持续政策协调下，荷兰政府已经禁止ASML向中国出售最先进的 EUV光刻设备。
荷兰首相斯霍夫在2025年达沃斯论坛上明确表示，荷兰在对华政策方面与美国 "保持一致"。
这种技术限制的影响是深远的。
ASML CEO富凯曾表示中国芯片技术与西方存在代差，不过中国在成熟制程和新兴领域的突破正在缩小差距。
美国政府不断升级对华半导体出口管制措施，将140家中国公司列入"实体清单"，对24种半导体制造设备增加出口限制。
荷兰政府甚至决定不再公开披露ASML对华销售的大部分信息，试图"隐藏"这一敏感的商业数据。
但限制真的能阻止技术进步吗？
技术限制的双刃剑效应与产业链重构
技术限制虽然在短期内限制了中国获得最先进设备的能力，不过也催生了意想不到的后果。
数据显示，2024年中国集成电路出口额达到1594.99亿美元，同比增长17.4%，创下历史新高，保持连续 14 个月同比增长。
这表明，即使在技术限制的压力下，中国半导体产业仍在快速发展。
ASML全球副总裁、中国区总裁沈波透露，到2023年底，ASML在中国的光刻机装机量接近1400台。
基于产能判断，ASML目标在2025年底或2026年初，具备全球每年500-600台深紫外设备产能，2024年在华销售额占全球营收36.1%。
虽然无法获得最先进的EUV设备，中国厂商仍在通过其他技术路径推进芯片制造能力。
复旦大学团队2025年研制出全球首款基于二维半导体材料的32位微处理器"无极"，集成5900个晶体管并发表于《自然》主刊。
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下一代技术竞赛，Hyper-NA 时代的到来
ASML已经开始布局下一代Hyper-NA EUV设备，计划在2030年推出数值孔径达到0.75的设备，覆盖1-0.7纳米工艺节点。
这或许意味着，当前围绕High-NA EUV的竞争只是更激烈技术竞赛的序幕。
按照技术发展路线图，High-NA EUV技术预计将支持2025-2026年的高容量芯片制造，涵盖2nm逻辑节点和相似密度的存储节点。
而英特尔预测High-NA EUV光刻机至少可在三代未来节点上应用，将光刻技术的名义尺度突破到1nm以下量级。
在这个技术迭代的关键时期，各国的策略选择将决定其在未来数十年内的科技地位。
技术限制能否持续有效？
被限制方能否通过自主创新实现技术突破？
这些问题的答案，将在接下来的几年内逐步揭晓。
信源：“
36 氪：《重磅：英特尔揭秘 1.4nm 细节，晒神秘 AI 芯片》
海峡网：《荷兰首相：特朗普会进一步限制阿斯麦对华出口，我们得自己说了算》人民网国际：《全球瞭望丨美媒：荷兰首相表示应自行决定对华出口政策》
中国机电产品进出口商会：《2024 年我国集成电路出口额同比增长 17.4%，创历史新高》
证券时报：《集成电路出口破万亿 国产存储冲刺海外市场》
复旦大学新闻网：《nature 刊发二维半导体芯片 “无极” 重要成果》
新浪财经：《为中国光刻机提供服务！ASML: 对北京本地维修中心升级和扩建》”
文/编辑: 珞翎
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